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规格书 |
MTB2P50E |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6 Ohm @ 1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 27nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1183pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 2 A |
RDS -于 | 6000@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
典型上升时间 | 14 ns |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
典型下降时间 | 19 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 9.65(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 500 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 6000@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | D2PAK |
标准包装名称 | D2PAK |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 10.29(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 4.83(Max) |
最大连续漏极电流 | 2 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6 Ohm @ 1A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1183pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 27nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏极电流(最大值) | 2 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
功率耗散 | 2.5 W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 6 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | D2PAK |
极性 | P |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 500 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
连续漏极电流 | 2 A |
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